[发明专利]光伏电池的制备方法在审
| 申请号： | 201610546352.6 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN106129175A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李会欣;闫树林;李新榜 | 申请（专利权）人： | 李会欣;闫树林;李新榜 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 张玲 |
| 地址： | 071000 河北省保定*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种光伏电池的制备方法。所述光伏电池的制备方法包括以下步骤：(a)在栅线层上浇铸硅料，使所述硅料形成硅锭；(b)对所述硅锭进行掺杂处理，使所述硅锭分为上下层叠设置的掺杂硅层和衬底硅层，其中所述栅线层埋设于所述掺杂硅层；(c)在所述衬底硅层的下方设置背电极层，形成光伏电池。本发明通过使栅线层埋设于掺杂硅层中，使得阳光能够直接照射到掺杂硅层的上表面，有效减少栅线层对阳光的遮挡，提高了光伏电池的转化效率，能够有效促进光伏电池在很多领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光伏电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)在栅线层上浇铸硅料，使所述硅料形成硅锭；所述栅线层由导电性材料制成，并且所述导电性材料的熔点高于硅的熔点；(b)对所述硅锭进行掺杂处理，使所述硅锭分为上下层叠设置的掺杂硅层和衬底硅层，其中所述栅线层埋设于所述掺杂硅层；(c)在所述衬底硅层的下方设置背电极层，形成光伏电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
