[发明专利]包括基于吸附剂的气体储存和输送系统的气柜装置有效

专利信息
申请号: 201610546763.5 申请日: 2016-07-08
公开(公告)号: CN106206775B 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 李光艺 申请(专利权)人: 李光艺
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/042;H01L31/0288;B82Y30/00;H01L31/18
代理公司: 北京高航知识产权代理有限公司11530 代理人: 鲁华
地址: 362600 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 本申请涉及包括基于吸附剂的气体储存和输送系统的气柜装置,包括气柜装置本体,所述气柜装置本体内部设置有多个气瓶,每个所述气瓶通过配气管相连接,所述气柜装置本体的内部设置有第一传感器和第二传感器,所述第一传感器和所述第二传感器通过电线连接,由位于电线中部位置的蓄电器供给所述第一传感器和第二传感器所需用电,所述蓄电器内部设置有黑硅太阳能电池。
搜索关键词: 包括 基于 吸附剂 气体 储存 输送 系统 装置
【主权项】:
包括基于吸附剂的气体储存和输送系统的气柜装置,其特征在于:包括气柜装置本体,所述气柜装置本体内部设置有多个气瓶,每个所述气瓶通过配气管相连接,所述气柜装置本体的内部设置有第一传感器和第二传感器,所述第一传感器和所述第二传感器通过电线连接,由位于电线中部位置的蓄电器供给所述第一传感器和第二传感器所需用电,所述蓄电器内部设置有黑硅太阳能电池;所述第一传感器和所述第二传感器的数量为1~2个;所述蓄电器位于气柜装置本体的顶部位置,且可拆卸的设置于顶部开口位置;所述黑硅太阳能电池基于P型硅片的黑硅结构,该黑硅结构为在硅片表面金字塔结构基础上利用Cu/Ni合金膜的辅助化学法刻蚀制备;所述黑硅结构上面依次为扩散层、光活性层、SiO2/Al2O3/SiNX叠层钝化膜、电极缓冲层和上电极;所述光活性层掺杂有Fe3O4磁性纳米粒子;所述黑硅结构下面依次为电极缓冲层、下电极;所述SiO2/Al2O3/SiNX叠层钝化膜的厚度70nm。
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