[发明专利]基于化学沉积法的银氧化锡电接触材料制备方法在审
申请号: | 201610547380.X | 申请日: | 2016-07-12 |
公开(公告)号: | CN106191495A | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
发明(设计)人: | 刘松涛;王俊勃;侯海云;杨敏鸽;贺辛亥;付翀;徐洁;苏晓磊;曹风;李笑然 | 申请(专利权)人: | 西安工程大学 |
主分类号: | C22C1/05 | 分类号: | C22C1/05;C22C5/06;C22C32/00;C23C18/44 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 杨璐 |
地址: | 710048 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开的基于化学沉积法的银氧化锡电接触材料制备方法,具体为:步骤1、将氧化镧、氧化铜、氧化铁、氧化铋或氧化铈作为掺杂物,结合纳米掺杂氧化锡粉体,利用,高能球磨、水热合成或凝胶法,制备出掺杂纳米氧化锡粉体;步骤2、利用硝酸银溶液与氨水配制银氨溶液;步骤3、将经步骤1得到的掺杂纳米氧化锡粉体与经步骤2形成的银氨溶液混合均匀,利用还原剂,结合化学沉积法,制备出纳米掺杂银氧化锡复合粉体;步骤4、将步骤3得到的纳米掺杂银氧化锡复合粉体依次进行成型、烧结处理,得到银氧化锡电接触材料。本发明的银氧化锡电接触材料制备方法,解决了现有电接触材料在制备过程中存在的生产周期长、氧化物易于偏聚及工艺复杂的问题。 | ||
搜索关键词: | 基于 化学 沉积 氧化 接触 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.基于化学沉积法的银氧化锡电接触材料制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1、将氧化镧、氧化铜、氧化铁、氧化铋或氧化铈作为掺杂物,结合纳米氧化锡粉体,利用现有技术,高能球磨、水热合成或凝胶法,制备出掺杂纳米氧化锡粉体;步骤2、利用硝酸银溶液与氨水配制银氨溶液,具体按照以下步骤实施:步骤2.1、分别称取硝酸银与水,并将称取的硝酸银与水混合均匀,得到澄清的硝酸银溶液;步骤2.2、取氨水,并将氨水缓慢滴加到经步骤2.1得到的硝酸银溶液中,形成银氨溶液,在滴加过程中,要利用PH计控制溶液的PH值在7~11之间;步骤3、将经步骤1得到的掺杂纳米氧化锡粉体与经步骤2形成的银氨溶液混合均匀,并利用还原剂,结合化学沉积法,制备出纳米掺杂银氧化锡复合粉体,具体按照以下步骤实施:步骤3.1、按锡元素和银元素摩尔比为1:2.09~9将步骤1中的掺杂纳米氧化锡粉体添加到步骤2中形成的银氨溶液中,搅拌均匀后,得到分散均匀的悬浮体系;步骤3.2、取还原剂,将还原剂缓慢滴加到经步骤3.1得到的悬浮体系中,采用边滴加边搅拌的方式,在滴加过程中利用盐酸检验悬浮液中银离子,直至悬浮液中无银离子存在,停止滴加还原剂,制备得到纳米掺杂银氧化锡复合粉体;步骤4、将步骤3得到的纳米掺杂银氧化锡复合粉体依次进行成型、烧结处理,得到银氧化锡电接触材料,具体按照以下方法实施:步骤4.1、将经步骤3得到的纳米掺杂银氧化锡复合粉体经热挤压工艺或复压加工处理,得到纳米掺杂银氧化锡电接触材料;步骤4.2、将经步骤4.1得到的纳米掺杂银氧化锡电接触材料依据实际工业生产的需要,于500℃~700℃的温度下退火处理1h~3h,用以调节成品硬度,即得到银氧化锡电接触材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安工程大学,未经西安工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610547380.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种无刷直流电动机及其制备工艺
- 下一篇:一种提高菱锰矿中的锰浸出率的方法