[发明专利]一种用于园林绿化工程的自供能电动锯有效
申请号: | 201610547715.8 | 申请日: | 2016-07-08 |
公开(公告)号: | CN106069239B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 武汉市科发园林绿化有限责任公司 |
主分类号: | A01G3/08 | 分类号: | A01G3/08 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 邓佳 |
地址: | 430000 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及一种用于园林绿化工程的自供能电动锯,包括管状的电锯杆和锯片;电锯杆包括电动机和太阳能组件,电动机设置于电锯杆的中央位置,太阳能组件设置于电锯杆的一侧,通过电线连接至电动机,电动机的另一端连接有开关,开关设置于电锯杆的末端自由端。该电动锯达到高效利用太阳能的目的,减少能源消耗,制作成本低,具有很大的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 园林绿化 工程 自供 电动 | ||
【主权项】:
1.一种用于园林绿化工程的自供能电动锯,其特征在于:所述电动锯包括管状的电锯杆和锯片;所述电锯杆包括电动机和太阳能组件,所述电动机设置于电锯杆的中央位置,所述太阳能组件设置于电锯杆的一侧,通过电线连接至电动机,所述电动机的另一端连接有开关,所述开关设置于电锯杆的末端自由端;所述太阳能电池组件包括黑硅太阳能电池模块和蓄电池;该黑硅太阳能电池模块为基于P型硅片的黑硅结构,该黑硅结构为在硅片表面金字塔结构基础上利用Cu/Ni合金膜的辅助化学法刻蚀制备,该金字塔结构为在2.8wt.%的NaOH和7vol.%的异丙醇混合溶液中腐蚀得到;所述黑硅结构上面依次为扩散层、光活性层、SiO2/Al2O3/SiNX叠层钝化膜、电极缓冲层和上电极;所述光活性层掺杂有Fe3O4磁性纳米粒子;所述黑硅结构下面依次为电极缓冲层、下电极;所述SiO2/Al2O3/SiNX叠层钝化膜的厚度约70nm;其中,所述扩散层为使用三氯氧磷为掺杂磷元素扩散源;所述黑硅太阳能电池组模块的制备方法包括以下步骤:步骤一,清洗硅片:取一定尺寸P型硅片,将硅片浸泡在体积比3:2的硫酸‑双氧水混合溶液中并进行超声处理5min,将硅片浸入15vol%HF溶液,然后采用去离子水对硅片冲洗2min,接着将硅片置于0.5wt.%的HF溶液中漂洗1min,以去掉硅片表面自然氧化层,最后用去离子水冲洗2min;步骤二,制备金字塔结构:配制2.8wt.%的NaOH和7vol.%的异丙醇混合溶液,将硅片置于混合溶液中于80℃下超声腐蚀1h,在硅片表面得到金字塔减反结构;步骤三,制备黑硅结构:将硅片放置于磁控溅射仪中,抽真空至1.2×10‑4Pa以下,同时磁控溅射Cu靶、Ni靶,功率分别为140W、120W,磁控溅射Cu靶、Ni靶时间为5min,使其形成Cu/Ni合金膜;将上述溅射有Cu/Ni合金膜的硅片放置于2.7M H2O2和8.3M HF的混合溶液中,在92℃下腐蚀100min,使硅片表面腐蚀出硅纳米结构,即黑硅结构,腐蚀完后用盐酸溶液对其进行清洗,去除残留的Ni颗粒,最后用去离子水清洗硅片;步骤四,制备黑硅太阳电池:1)将制备好的硅片,采用三氯氧磷液态源扩散形成扩散层,扩散温度为800℃~1150℃;采用四氟化碳和氧气的等离子体周边刻蚀,将硅片的边缘的扩散层去除,使上下两面隔断,然后利用3vol%低浓度氢氟酸溶液对硅片清洗30s去除磷硅玻璃;2)按Fe3O4:P3HT:PCBM=0.018:1:0.8的质量比将Fe3O4磁性纳米粒子掺杂到光活性层溶液中,掺杂浓度为1%,然后将硅片置于上述光活性层溶液中,超声振荡30min,在硅片表面覆盖一层光活性层;其中,Fe3O4磁性纳米粒子采用液相共沉淀方法制备如下:将0.85g FeCl3·6H2O与0.3g FeCl2·4H2O,在氮气保护下溶解于200ml超纯水中制成铁盐混合溶液;80℃下,强烈磁力搅拌,将2ml质量浓度为25%的氨水缓慢加入铁盐混合溶液中,当溶液pH值升高到7~8时,铁盐水解产生大量黑色的Fe3O4磁性纳米粒子,继续滴加氨水至pH=9反应3h,使水解趋于完全;将黑色Fe3O4磁性纳米粒子用磁铁从溶液分离出来,超纯水洗涤,然后分散于200ml超纯水中,加入2ml质量浓度为25%的氨水和1ml油酸,于80℃恒温强烈磁力搅拌1h;最后向溶液中缓慢加入质量浓度为36%的浓盐酸,直至烧瓶中产生块状沉淀,将块状沉淀用磁铁收集后再用乙醇清洗3次,去除未反应的油酸,得到油酸修饰的Fe3O4磁性纳米粒子;3)采用高温氧化法,将上述所得的硅片载入高温氧化炉,向炉内通入氧气,使硅片在氧化氛围中,表面逐渐被氧化生成5~10nm厚的SiO2,然后将该硅片放入磁控溅射仪中,利用反应磁控溅射方法首先蒸镀一层Al2O3薄膜,厚度约40nm,然后再利用PECVD法沉积一层氮化硅,使其形成SiO2/Al2O3/SiNX叠层钝化膜;4)制备电极缓冲层:利用射频磁控溅射方法,分别在硅片上表面和下表面沉积一层Cr膜,厚度为100nm,作为上下电极的缓冲层;5)制备电极:采用丝网印刷的方法,分别制作黑硅太阳能电池的上下电极和背电场,最后对黑硅太阳能电池烧结,使电极与硅形成良好的欧姆接触,然后将导线连接至上下电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉市科发园林绿化有限责任公司,未经武汉市科发园林绿化有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610547715.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。