[发明专利]用于开关晶体管的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201610547755.2 申请日: 2016-07-13
公开(公告)号: CN106357097B 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: K.科瓦利克-赛德尔;E.贝西诺巴斯克斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 申屠伟进;杜荔南
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要: 发明涉及用于开关晶体管的系统和方法。根据实施例,操作耦合到电感器的半导体开关的方法包括:通过将接通电压施加在半导体开关的栅极与连接到半导体开关的参考节点的低电流端子之间来接通半导体开关,低电流端子与连接到半导体开关的参考节点的高电流参考端子分离,并且半导体开关包括第一输入电容与跨导比率。该方法还包括通过将关断电压施加到半导体开关的栅极来关断半导体开关,其中半导体开关的输出节点处的总电容与栅极‑漏极电容的比率每瓦由耦合到半导体开关的负载处置的功率大于第一比率。
搜索关键词: 用于 开关 晶体管 系统 方法
【主权项】:
1.一种操作耦合到电感器的半导体开关的方法,所述方法包括:通过将接通电压施加在半导体开关的栅极与连接到半导体开关的源节点的第一端子之间来接通半导体开关,所述第一端子与第二端子分离,所述第二端子经由耦合在所述源节点和所述第二端子之间的封装电感而连接到所述半导体开关的所述源节点,并且所述半导体开关包括小于75 pF V2/A的输入电容与跨导比率;以及通过将关断电压施加在半导体开关的栅极与所述第一端子之间来关断半导体开关,其中半导体开关的输出节点处的总电容与栅极‑漏极电容的比率在由耦合到半导体开关的负载处置的功率为每瓦的情况下大于0.006。
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