[发明专利]用于开关晶体管的系统和方法有效
申请号: | 201610547755.2 | 申请日: | 2016-07-13 |
公开(公告)号: | CN106357097B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | K.科瓦利克-赛德尔;E.贝西诺巴斯克斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;杜荔南 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | 本发明涉及用于开关晶体管的系统和方法。根据实施例,操作耦合到电感器的半导体开关的方法包括:通过将接通电压施加在半导体开关的栅极与连接到半导体开关的参考节点的低电流端子之间来接通半导体开关,低电流端子与连接到半导体开关的参考节点的高电流参考端子分离,并且半导体开关包括第一输入电容与跨导比率。该方法还包括通过将关断电压施加到半导体开关的栅极来关断半导体开关,其中半导体开关的输出节点处的总电容与栅极‑漏极电容的比率每瓦由耦合到半导体开关的负载处置的功率大于第一比率。 | ||
搜索关键词: | 用于 开关 晶体管 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种操作耦合到电感器的半导体开关的方法,所述方法包括:通过将接通电压施加在半导体开关的栅极与连接到半导体开关的源节点的第一端子之间来接通半导体开关,所述第一端子与第二端子分离,所述第二端子经由耦合在所述源节点和所述第二端子之间的封装电感而连接到所述半导体开关的所述源节点,并且所述半导体开关包括小于75 pF V2/A的输入电容与跨导比率;以及通过将关断电压施加在半导体开关的栅极与所述第一端子之间来关断半导体开关,其中半导体开关的输出节点处的总电容与栅极‑漏极电容的比率在由耦合到半导体开关的负载处置的功率为每瓦的情况下大于0.006。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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