[发明专利]处理液供应单元以及基板处理设备有效
申请号: | 201610547893.0 | 申请日: | 2016-07-12 |
公开(公告)号: | CN106356319B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 吴来泽;李铉优 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 赵莎 |
地址: | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种基板处理设备。所述设备包括:支撑单元,所述支撑单元支撑基板;和处理液供应单元,所述处理液供应单元将处理液供应到所述基板上;其中,所述处理液供应单元包括:注射单元,所述注射单元将处理液供应到由所述支撑单元所支撑的基板上;罐,所述罐容纳处理液;管线,所述管线连接至所述罐;以及静电去除构件,所述静电去除构件去除处理液中的静电。 | ||
搜索关键词: | 处理 供应 单元 以及 设备 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理设备,其特征在于,所述设备包括:支撑单元,所述支撑单元配置为支撑基板;和处理液供应单元,所述处理液供应单元配置为将处理液供应到所述基板;其中,所述处理液供应单元包括:注射单元,所述注射单元配置为将处理液供应到由所述支撑单元所支撑的基板上;罐,所述罐配置为容纳所述处理液;管线,所述管线连接至所述罐;以及静电去除构件,所述静电去除构件配置为去除所述处理液中的静电;所述静电去除构件包括导电性材料的主体,所述主体浸入在所述罐中的处理液中,并且所述主体是接地的;温度传感器,所述温度传感器提供为浸入到所述罐中的处理液中以测量所述处理液的温度,并且其中,所述主体的底端低于所述温度传感器的底端,且所述主体由包括树脂和碳的材料构成,所述主体的碳的质量含量为大于25%、且小于35%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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