[发明专利]一种Multi-plane结构非易失性存储器的块修复方法和装置

摘要

本发明提供了一种Multi‑plane结构非易失性存储器的块修复方法和装置，其中，所述方法包括是否需要修复判断步骤：对Multi‑plane结构非易失性存储器的每一个plane内各自选择一个块同时进行擦除操作，判断每一个plane内所擦除的块是否都成功，如果有擦除不成功的块，则需要对其进行修复；修复步骤：对所述擦除不成功的块所在的每一个plane同时进行修复操作，让擦除块成功的其它个plane等待，遍历步骤：所述修复步骤完成后，对所述每一个plane遍历每一个块，重复所述是否需要修复判断步骤的操作并进行修复，直到完成块的遍历。本发明在现有的对块修复技术基础上通过使用同一状态机来同时实现Multi‑plane结构非易失性存储器的每一个plane的块修复，有效地提高了Multi‑plane结构非易失性存储器的块修复效率。

主权项

1.一种Multi‑plane结构非易失性存储器的块修复方法，其特征在于，包括：是否需要修复判断步骤：对Multi‑plane结构非易失性存储器的每一个plane内各自选择一个块同时进行擦除操作，判断每一个plane内所擦除的块是否都成功，如果有擦除不成功的块，则需要对其进行修复；修复步骤：对所述擦除不成功的块所在的每一个plane同时进行修复操作，让擦除块成功的其它个plane等待，所述修复操作完成后再进行后续的步骤；遍历步骤：所述修复步骤完成后，对所述每一个plane遍历每一个块，重复所述是否需要修复判断步骤的操作，如果有擦除不成功的块均按所述修复步骤进行修复，直到完成块的遍历；其中，所述是否需要修复判断步骤可以包括：两个plane判断步骤：对包含plane0和plane1两个plane的Multi‑plane结构非易失性存储器的每一个plane内各自选择一个块同时进行擦除操作，结果可能会出现四种情况：第一种情况，plane0擦除失败plane1擦除成功：这时需要对plane0的这个块做修复，plane1等待plane0做完修复后，再继续进行后面的修复过程；第二种情况，plane0擦除成功plane1擦除失败：这时需要对plane1的这个错误块做修复，plane0等待plane1做完修复后，再继续进行后面的修复过程；第三种情况，plane0擦除失败plane1擦除失败：这时需要同时对plane0和plane1的错误块修复，修复过程是同步进行的，但是可能修复结束的快慢程度不同，那么先做完修复的需要等待另外一个plane也做完修复后，再继续进行后面的过程；第四种情况，plane0擦除成功plane1擦除成功：这时不需要对plane0和plane1进行修复，直接进行下一地址的块的检查。