[发明专利]一种飞切单晶锗二维六面转鼓第一初始侧表面的确定方法有效
| 申请号： | 201610548387.3 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106142367B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 石广丰;史国权;蔡洪彬;肖建国;薛常喜 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种飞切单晶锗二维六面转鼓第一初始侧表面的确定方法，其步骤是S1、将沿晶面生长的单晶锗圆柱棒料切出上、下基准平面；S2、将上基准平面粗车端面；S3、粗车端面后，以表面任意白斑花瓣的径向中心线为基准，在单晶锗圆柱棒料的上基准平面上距离单晶锗棒料几何中心点距离R处，垂直径向中心线做垂线；S4、过垂线，做径向中心线的法平面；S5、法平面绕垂线向棒料几何中心轴线偏转，偏转角度为二维六面转鼓的第一初始侧表面与上基准平面所成的理论倾角θ，获得偏转后的平面即为二维六面转鼓的第一初始侧表面；S6、在此基础上，为二维六面转鼓第一初始侧表面处留出径向毛坯余量，以便在铣磨粗加工后完成二维六面转鼓的第一初始侧表面的超精密飞切加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 飞切单晶锗 二维 六面转鼓 第一 初始 表面 确定 方法 | ||
【主权项】：
一种飞切单晶锗二维六面转鼓第一初始侧表面的确定方法，其特征在于：该确定方法的步骤是：S1、将沿单晶锗晶面生长的单晶锗圆柱棒料切出上、下两平行基准平面，棒料留出足够切削余量；S2、将单晶锗圆柱棒料的上基准平面粗车端面，呈现各向异性周期性花瓣分布特征；S3、粗车端面后，以表面任意白斑花瓣的径向中心线为基准，在单晶锗圆柱棒料的上基准平面上距离单晶锗棒料几何中心点距离R处，垂直径向中心线做垂线；S4、过垂线，做径向中心线的法平面；S5、法平面绕垂线向棒料几何中心轴线偏转，偏转角度为二维六面转鼓的第一初始侧表面与上基准平面所成的理论倾角θ，获得偏转后的平面即为二维六面转鼓的第一初始侧表面；S6、在此基础上，为二维六面转鼓第一初始侧表面处留出一定的径向毛坯余量，以便在铣磨粗加工后完成二维六面转鼓的第一初始侧表面的超精密飞切加工。
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