[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法，提高半导体装置的性能。在半导体装置中，通过相互相邻的控制栅极电极(15)和存储器栅极电极(26)、形成于控制栅极电极(15)下的栅极绝缘膜(13)以及形成于存储器栅极电极(26)下并且在内部具有电荷累积部的绝缘膜(27)来形成存储器单元(MC)。另外，在该半导体装置中，通过下部电极(16)、上部电极(23)以及形成于上部电极(23)与下部电极(16)之间的电容绝缘膜(27a)来形成电容元件(CD1)。下部电极(16)的厚度(TH2)薄于控制栅极电极(15)的厚度(TH1)。

主权项

一种半导体装置，具有：半导体基板；第1栅极电极，在所述半导体基板的主面的第1区域中，形成于所述半导体基板的上方；第1栅极绝缘膜，形成于所述第1栅极电极与所述半导体基板之间；第2栅极电极，在所述第1区域中，形成于所述半导体基板的上方，并且与所述第1栅极电极相邻；第2栅极绝缘膜，形成于所述第2栅极电极与所述半导体基板之间以及所述第2栅极电极与所述第1栅极电极之间，在内部具有电荷累积部；第1电极，在所述半导体基板的所述主面的第2区域中，形成于所述半导体基板的上方；第2电极，形成于所述第1电极的上方；以及第1绝缘膜部，形成于所述第2电极与所述第1电极之间，通过所述第1栅极电极、所述第1栅极绝缘膜、所述第2栅极电极和所述第2栅极绝缘膜来形成非易失性存储器，通过所述第1电极、所述第2电极和所述第1绝缘膜部来形成第1电容元件，所述第1电极的厚度薄于所述第1栅极电极的厚度。