[发明专利]内置在应力缓冲器中的压力传感器在审
| 申请号： | 201610548756.9 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN106353027A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | A·J·范德维尔 | 申请（专利权）人： | 迈来芯技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/02 | 分类号： | G01L9/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 顾嘉运 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 内置在应力缓冲器中的压力传感器，包括具有从基板的顶面延伸到底面的通口的半导体基板，通口形成所述基板的内部和外部之间的空间；排列在所述内部上的压力响应结构；用于将内部悬置在所述通口内的从所述内部延伸到所述外部的大量柔性元件；通口至少部分地填充有滞弹性材料。一种产生这种半导体压力传感器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 内置 应力 缓冲器 中的 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种用于测量压力的半导体压力传感器，包括：‑具有从基板的顶面延伸到底面的通口的半导体基板，所述通口形成所述基板的内部和外部之间的中空空间；‑排列在所述内部上的压力响应结构；‑用于将所述内部悬置在所述通口内的从所述内部延伸到所述外部的大量柔性元件；‑所述通口至少部分地填充有滞弹性材料。
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