[发明专利]一种温控表显温度与材料生长温度间偏差的校订方法

摘要

本发明目的在于提供一种材料生长设备中温控系统表显温度和材料实际生长温度间偏差的校订方法，适用于为各种溅射设备配置的加热控温系统。该方法利用金属在一定条件下具有已知固定熔点的特性，将金属薄片挤压贴合于基片表面，通过加热系统缓慢加热，观看金属熔化确定基片表面真实温度为金属熔点，并记录熔化时对应的温控系统表显温度，获得该设备在一定条件下温控系统表显温度和基片表面材料实际生长温度间的温差变化规律。该方法通过改造加热装置中热电偶和样品托的间距，实现了降低温差的目的。本发明成本低廉、操作简单、对设备零损伤、数据准确可重复、方法适用性广，为材料的生长研究获得准确的温度参数提供了重要保障。

主权项

一种溅射设备中温控系统表显温度和材料实际生长温度间偏差的校订方法，适用于包括至少有一PID调节器（温控表）、至少有一与调节器相接的加热模块、至少有一与调节器相接的热电偶探测器的一种材料溅射生长设备，其特征在于该方法利用或铟、或锡铅合金（63/37）、或锡、或铅、或锌、或铝金属中的一种，根据金属具有固定熔点的特性获得表显温度和基片表面材料生长温度间温差、改造加热装置中热电偶与样品托的位置关系减小温控系统中的表显温度和基片表面材料生长温度间温差。