[发明专利]一种具有曝光补正的光罩在审
申请号: | 201610550097.2 | 申请日: | 2016-07-13 |
公开(公告)号: | CN106200257A | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
发明(设计)人: | 张春倩;陈彩琴 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种具有曝光补正的光罩,所述光罩包括遮光区域和被遮光区域包围的曝光区域,所述曝光区域包括补正子区域以及曝光子区域,所述补正子区域设置在所述曝光子区域的锐角顶点周围。本发明通过将补正子区域设置在所述曝光子区域的锐角顶点周围,当光通过补正子区域,发生衍射,与通过锐角照射到光阻上的光相互增强,从而增加锐角顶点周围的曝光强度,从而达到增加曝光能力,经曝光蚀刻后得到想要的图案,进而使得电场分布均匀,提升液晶产品制作质量,进而提升到显示器的显示效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 曝光 补正 | ||
【主权项】:
一种具有曝光补正的光罩,包括遮光区域和被遮光区域包围的曝光区域,其特征在于,所述曝光区域包括补正子区域以及曝光子区域,所述补正子区域设置在所述曝光子区域的锐角顶点周围。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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