[发明专利]形成HAMR头的方法、在HAMR结构中涂覆近场换能器的方法及磁头有效
| 申请号： | 201610550190.3 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN106356078B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | E.托雷斯;C.黄;R.西蒙斯 | 申请（专利权）人： | HGST荷兰公司 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31;G11B5/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本文公开的实施例总体上涉及一种形成HAMR头的方法。所述方法包含使用按需滴喷工具在滑块表面的一部分上沉积按需滴喷掩模。所述滑块的表面包含NFT的至少一部分。第一保护层沉积在滑块表面的剩余的部分之上，以及按需滴喷掩模之上。将按需滴喷掩模以及设置在按需滴喷掩模上的第一保护层的一部分移除，暴露NFT的至少一部分。第二保护层沉积在第一保护层和NFT的至少暴露的部分上。通过使用按需滴喷工具来沉积按需滴喷掩模，降低按需滴喷掩模和NFT的该部分之间的对齐的严格度，并且可以使用擦除工具轻易地移除按需滴喷掩模。 | ||
| 搜索关键词： | hamr 结构 使用 导热 材料 nft 区间 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成HAMR头的方法，包含：在近场换能器的至少一部分上设置按需滴喷掩模；在所述近场换能器的剩余的部分之上和所述按需滴喷掩模之上沉积第一保护层；移除所述按需滴喷掩模以及设置在所述按需滴喷掩模之上的所述第一保护层的一部分，其中所述近场换能器的所述部分被暴露；以及在所述近场换能器的所述暴露的部分上沉积第二保护层。
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