[发明专利]半导体部件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610550338.3 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN106373875B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 巫柏奇;张家玮;李荣瑞;张雅岚;赵益承 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造半导体部件的方法，包括在衬底上形成层间介电(ILD)层，在层间介电层中形成沟槽，在沟槽中形成金属栅极，去除金属栅极的从ILD层突出的部分，使还原性气体与金属栅极反应以及去除金属栅极的顶部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体部件的方法，包括：/n在衬底上形成层间介电(ILD)层；/n在所述层间介电层中形成沟槽；/n在所述沟槽中形成金属栅极；/n利用CMP工艺去除所述金属栅极的从所述层间介电层处突出的部分，来自所述CMP工艺的CMP研磨剂中的混悬剂在所述CMP工艺期间扩散至所述金属栅极中；/n使还原性气体与所述金属栅极中的扩散的混悬剂反应，所述还原性气体的氧化还原电位小于所述金属栅极的材料的氧化还原电位并且大于扩散至所述金属栅极中的混悬剂的氧化还原电位；以及/n去除所述金属栅极的顶部，在所述金属栅极上直接形成介电层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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