[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，薄膜晶体管采用顶栅共面结构，能够有效降低寄生电容，并利用两次光照的方法分别处理有源层、绝缘层与栅极金属层图案化后有源层暴露的区域，来改善低温沉积膜的缺陷，增加沟道区的载流子浓度，增强源、漏极接触区导电性，从而降低了源、漏极与有源层的接触电阻，提高了迁移率和电流开关比，进而提高了薄膜晶体管的电性。

主权项

一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次沉积缓冲层(20)、及金属氧化物半导体层(30)，对该金属氧化物半导体层(30)进行图案化处理得到有源层(35)，然后对该有源层(35)进行第一次光照处理，使得所述有源层(35)的载流子浓度增加；步骤2、在所述缓冲层(20)、及有源层(35)上依次沉积绝缘层(40)、及栅极金属层(50)，对该绝缘层(40)、及栅极金属层(50)进行图案化处理得到栅极(55)与栅极绝缘层(45)；以所述栅极(55)、及栅极绝缘层(45)为阻挡层，在空气环境中对所述有源层(35)进行第二次光照处理，使得所述有源层(35)上未被所述栅极(55)与栅极绝缘层(45)覆盖的区域的导电性增强，形成源极接触区(351)、漏极接触区(352)、以及位于所述源极接触区(351)与漏极接触区(352)之间的沟道区(353)；步骤3、在所述栅极(55)、有源层(35)、及缓冲层(20)上沉积层间介电层(60)，对该层间介电层(60)进行图案化处理，在所述层间介电层(60)上形成分别对应于所述源极接触区(351)与漏极接触区(352)的第一通孔(61)与第二通孔(62)；步骤4、在所述层间介电层(60)上沉积源漏极金属层，对该源漏极金属层进行图案化处理，得到源极(71)与漏极(72)，所述源极(71)和漏极(72)分别通过第一通孔(61)和第二通孔(62)与所述有源层(35)的源极接触区(351)和漏极接触区(352)相接触；步骤5、在所述层间介电层(60)、源极(71)、及漏极(72)上沉积钝化层(80)，对该钝化层(80)进行图案化处理，在所述钝化层(80)上形成对应于所述漏极(72)的第三通孔(81)，在所述钝化层(80)上形成像素电极(90)，所述像素电极(90)通过第三通孔(81)与所述漏极(72)相接触，从而制得一金属氧化物薄膜晶体管阵列基板。