[发明专利]一种高氧离子导电钼酸镧基厚膜材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610550890.2 申请日: 2016-07-13
公开(公告)号: CN106242567A 公开(公告)日: 2016-12-21
发明(设计)人: 刘霄;杜慧玲 申请(专利权)人: 西安科技大学
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/50;C04B35/622
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 代理人: 汤东凤
地址: 710054 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种钼酸镧基厚膜材料及其制备方法,所述钼酸镧基厚膜材料的制备方法为按照La2Mo2‑xNbxO9‑δ(0≤x≤0.04)进行配比,通过中温固相烧结制备出预烧粉体,然后加入一定量的粘结剂、增塑剂和均化剂,采用流延工艺制备出具有一定尺寸和均匀颗粒分布的钼酸镧基厚膜材料。所得材料具有低的烧结温度和较高的致密度,在相变温度以上即603℃氧离子电导率比纯的钼酸镧材料高出39%,达到0.0139S cm‑1,并且可以大批量制备。可广泛地用于中温燃料电池、氧传感器和氧渗透膜中。
搜索关键词: 一种 离子 导电 钼酸 镧基厚膜 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种钼酸镧基厚膜材料的制备方法,其特征在于,所述钼酸镧基厚膜材料的制备方法将混合好的浆料在真空搅拌机中脱泡后过筛去除掉大的颗粒后进行流延,将流延成型的生坯在空气中自然干燥30min后,从膜带上揭下。
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