[发明专利]一种抛光组合物及其制备、抛光方法在审
| 申请号： | 201610550975.0 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN106189872A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 潘国顺;周艳;龚桦;邹春莉;徐莉 | 申请（专利权）人： | 清华大学;深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B37/10 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抛光组合物及其制备、抛光方法，属于微电子制造技术领域领域，特别涉及超硬材料的超精密加工技术领域。本发明抛光组合物包括磨粒、氧化剂、光催化剂、腐蚀剂、抛光稳定剂和水；其中，各组分配比为：磨料为10～30wt％，氧化剂为0.5～15wt％，腐蚀剂为0.01～10wt％，光催化剂为0.001～5wt％，抛光稳定剂为0.1～10wt％，水余量。采用本发明所述含有光催化剂的抛光组合物，在紫外光照射下，对碳化硅晶片进行抛光，显著提高去除速率，循环抛光稳定性好；经其抛光后的碳化硅晶片表面超光滑，无划痕、凹坑等表面缺陷，表面粗糙度低，呈现出清晰规整的原子台阶形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抛光组合物，其特征在于，包括磨料、氧化剂、腐蚀剂、光催化剂、抛光稳定剂、水；其中，各组分配比为：磨料为10～30wt％，氧化剂为0.5～15wt％，腐蚀剂为0.01～10wt％，光催化剂为0.001～5wt％，抛光稳定剂为0.1～10wt％，水余量，所述抛光组合物的pH值为8～12。
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