[发明专利]基于SRAM时序的物理不可克隆函数有效
| 申请号： | 201610551132.2 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN106355111B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 乔伊丝·广;克莱夫·比特尔斯通;马尼什·戈埃尔 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | G06F21/73 | 分类号： | G06F21/73 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及一种基于sram时序的物理不可克隆函数。揭示用于创建用于SRAM的物理不可克隆函数的方法和设备。一种实例方法包含在将电压施加到存储器阵列(204)之后：确定所述电压的所述施加与第一位单元(206)的第一输出之间的第一持续时间，所述第一输出对应于存储在所述第一位单元(206)中的第一值；以及确定所述电压的所述施加与第二位单元(214)的第二输出之间的第二持续时间，所述第二输出对应于存储在所述第二位单元(214)中的第二值。所述实例方法进一步包含基于所述第一持续时间和所述第二持续时间的比较确定一函数，所述函数建立包含所述存储器阵列(204)的电路的识别。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 sram 时序 物理 不可 克隆 函数 | ||
【主权项】：
一种设备，其包括：存储器阵列；电压源，其用以将电压施加到所述存储器阵列；计时器，其用以：在所述电压施加到所述存储器阵列之后：确定所述电压的所述施加与第一位单元的第一输出之间的第一持续时间，所述第一输出对应于存储在所述第一位单元中的第一值；以及确定所述电压的所述施加与第二位单元的第二输出之间的第二持续时间，所述第二输出对应于存储在所述第二位单元中的第二值；以及处理器，其用以基于所述第一持续时间与所述第二持续时间的比较确定一函数，所述函数是建立包含所述存储器阵列的电路的识别。
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