[发明专利]一种自驱动二维碲化钼同型异质结近红外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种自驱动二维碲化钼同型异质结近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：是在N型半导体衬底的下表面设置有与N型半导体衬底呈欧姆接触的底电极，上表面覆盖有掩膜层；掩膜层为绝缘材料，在掩膜层的中央预留有通孔，在通孔内沉积有二维碲化钼薄膜，其与N型导体衬底接触，形成N‑N同型异质结；在碲化钼薄膜上表面设置有与碲化钼呈欧姆接触的顶电极。本发明的近红外光电探测器，制备工艺简单、技术成熟可靠，易于控制；所得器件具有高灵敏度、高速率、高探测率、自驱动等优异性能。

主权项

一种自驱动二维碲化钼同型异质结近红外光电探测器，其特征在于：所述近红外光探测器是在N型半导体衬底(4)的下表面设置有与N型半导体衬底呈欧姆接触的底电极(5)，上表面覆盖有掩膜层(2)；所述掩膜层(2)为绝缘材料，在所述掩膜层(2)的中央预留有通孔，在所述通孔内沉积有二维碲化钼薄膜(3)；所述碲化钼薄膜与所述N型半导体衬底接触，形成N‑N同型异质结；在所述碲化钼薄膜(3)上表面设置有与碲化钼呈欧姆接触的顶电极(1)。