[发明专利]具有优异光致发光特性的大面积二维层状材料的制备方法在审
| 申请号： | 201610551531.9 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN106206254A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 于永强;耿祥顺;许克伟;李智;罗林保 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/203;H01L33/28 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏;何梅生 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有优异光致发光特性的大面积二维层状材料的制备方法，其是采用脉冲激光沉积技术，在基片表面沉积上过渡金属硫族化合物的薄膜。通过本发明的方法制备的薄膜具有单层或少数原子层半导体材料的特性，这种材料在光照射下具有很好的光致发光特性，且本发明的方法操作简单、重复性强。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 优异 光致发光 特性 大面积 二维 层状 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有优异光致发光特性的大面积二维层状材料的制备方法，其特征在于：将清洗、干燥后的基片和过渡金属硫族化合物的靶材放入脉冲激光沉积系统的腔体内，然后将腔体抽真空至10‑5Pa以下；加热基片至300℃～600℃；用脉冲激光轰击靶材，使得基片表面沉积上过渡金属硫族化合物的薄膜；沉积结束后，在真空条件下自然冷却至室温，即获得二维层状材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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