[发明专利]一种用少层黑磷的不同堆垛结构实现激光半导体的方法有效
| 申请号： | 201610551668.4 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN106129811B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 雷双瑛;沈海云;黄兰 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用少层黑磷的不同堆垛结构的半导体激光器及制备方法。利用单层黑磷和三层黑磷的Aδ结结构可构成I型半导体异质结，用于在激光二极管中实现粒子数反转，能够有效的减小工作电流。所述半导体激光二极管由下至上依次包括：下电极(1)、衬底(2)、材料生长缓冲层(3)、下包覆层(4)、有源层(5)、上包覆层(6)和上电极(7)。本发明形成的异质结为同种材料的不同堆垛结构形成的双异质结。相比不同材料构成的异质结，本发明用的同种材料异质结更容易达到晶格匹配，制备工艺也更简单。本发明通过机械剥离的方法来得到不同堆垛结构的少层黑磷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用少层 黑磷 不同 堆垛 结构 实现 激光 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种用少层黑磷的不同堆垛结构的半导体激光器，其特征在于，该半导体激光器是一种异质结半导体激光器，由下而上包括如下结构：下电极(1)、衬底(2)、材料生长缓冲层(3)、下包覆层(4)、有源层(5)、上包覆层(6)和上电极(7)；其中，有源层(5)为量子阱区，激光器的两端形成光非吸收窗口(8)，该光非吸收窗口(8)的深度大于所述电极上包覆层(6)以及有源区(5)的厚度之和。
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