[发明专利]一种具有钙钛矿结构的异质结薄膜光电器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610551748.X | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105932088B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘汇慧;李同伟;王会娴;熊国欣;李小红 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/0392;H01L31/032;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)41120 | 代理人： | 魏亚珂 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种具有钙钛矿结构的异质结薄膜光电器件，涉及一种光电器件，包括基板，以及依次层叠在基板上的下电极、p型钙钛矿型氧化物薄膜、n型钙钛矿型氧化物薄膜和上电极；其中，p型钙钛矿型氧化物薄膜为ErLi0.1K0.4Bi0.5TiO3，掺杂的Er与Li0.1K0.4Bi0.5TiO3的摩尔比为0.005‑0.2；n型钙钛矿型氧化物薄膜为BaNbxTi1‑xO3，x的取值范围为0.05‑0.1；本发明光电器件的各薄膜层是经旋涂工艺依次涂覆在基板上后，经烘干、退火工序制成的。本发明提出了一种新的钙钛矿型异质结薄膜并应用于光电器件，能够增加异质结光电器件的光生电流，提高其光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 钙钛矿 结构 异质结 薄膜 光电 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有钙钛矿结构的异质结薄膜光电器件，其特征在于：包括基板，以及依次层叠在基板上的下电极、p型钙钛矿型氧化物薄膜、n型钙钛矿型氧化物薄膜和上电极；其中，p型钙钛矿型氧化物薄膜为Er：Li0.1K0.4Bi0.5TiO3，掺杂的Er与Li0.1K0.4Bi0.5TiO3的摩尔比为0.005‑0.2；n型钙钛矿型氧化物薄膜为BaNbxTi1‑xO3，x的取值范围为0.05‑0.1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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