[发明专利]用少层黑磷烯的不同堆垛结构的遂穿二极管及实现方法

摘要

本文发明公开了一种用少层黑磷烯的不同堆垛结构的遂穿二极管及实现方法。该遂穿二极管为异质结遂穿二极管，最下面是衬底(1)，在衬底(1)上是下电极台面(2)，在下电极台面(2)的上面的一边为黑磷烯横向异质结(3)，另一边是下电极(6)，在黑磷烯横向异质结(3)上为电极台面(4)，电极台面(4)上为上电极(5)。与普通遂穿二极管相比，本发明提出的异质结不需要进行重掺杂即可得到用于遂穿的能带结构。其中III型半导体异质结是本专利设计结构的核心部分。本发明选用的同种材料异质结更容易达到晶格匹配，制备工艺也更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将两种不同堆垛结构的黑磷烯横向连接形成异质结。

主权项

一种用少层黑磷烯的不同堆垛结构的遂穿二极管，其特征在于，该遂穿二极管为异质结遂穿二极管，最下面是衬底(1)，在衬底(1)上是下电极台面(2)，在下电极台面(2)的上面的一边为黑磷烯横向异质结(3)，另一边是下电极(6)，在黑磷烯横向异质结(3)上为电极台面(4)，电极台面(4)上为上电极(5)。