[发明专利]一种功率半导体器件终端结构有效
| 申请号： | 201610551789.9 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106098751B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 任敏;张玉蒙;底聪;廖航;李沂蒙;李泽宏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，涉及一种功率半导体器件终端结构。本发明的核心思想是将平面延伸的结终端扩展(JTE)型终端结构向体内折叠，充分利用体内漂移区厚度，从而缩小终端的横向面积。缓解了PN结终止端的电场集中，击穿点的位置从原来的PN结的终止端转移到了体内，终端的耐压能达到平行平面结的击穿电压。采用该结构能够在相同耐压的情况下获得比常规结构更小的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件终端结构，包括从下至上依次层叠设置的金属漏电极(1)、第一导电类型半导体重掺杂衬底(2)、第一导电类型半导体轻掺杂漂移区(3)和场氧化层(11)，其特征在于，所述第一导电类型半导体轻掺杂漂移区(3)中具有沟槽区(4)、第一导电类型半导体重掺杂区(9)、第一注入区(7)、第二注入区(6)和第三注入区(5)；所述沟槽区(4)的内部填充绝缘介质且其上表面与场氧化层(11)接触；所述第一导电类型半导体重掺杂区(9)位于第一导电类型半导体轻掺杂漂移区(3)上层远离器件有源区的一端；所述第一注入区(7)、第二注入区(6)和第三注入区(5)的侧面与沟槽区(4)接触，且第二注入区(6)的上表面与第一注入区(7)的下表面接触，第三注入区(5)的上表面与第二注入区(6)的下表面接触；所述第一注入区(7)、第二注入区(6)和第三注入区(5)均为第二导电类型半导体且其掺杂浓度满足：第一注入区(7)掺杂浓度大于第二注入区(6)，第二注入区(6)掺杂浓度大于第三注入区(5)；所述第一注入区(7)的上表面与器件有源区的第二导电类型半导体主结(8)接触，所述沟槽区(4)的侧面与器件有源区的第二导电类型半导体主结(8)接触；所述沟槽区(4)在器件剖面图中呈倒梯形，且其斜边与水平方向的斜角α的取值在45°到60°之间；所述沟槽区(4)的下方具有与其相连的第二导电类型半导体埋层(12)。
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