[发明专利]Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结及制备方法有效
| 申请号： | 201610552010.5 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN105977375B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 鲁军;毛思玮;赵旭鹏;赵建华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结，包括：一衬底，是实现多层膜外延生长的基础；一缓冲层，其制作在衬底上，用于平滑衬底表面并减小晶格失配度；一下电极，其制作在缓冲层上，外延生长；一下插层，其制作在下电极上，外延生长；一势垒层，其制作在下插层上；一上插层，其制作在势垒层上，外延生长；一上电极，其制作在上插层上，外延生长；一覆盖层，其制作在上电极上，对下层结构起保护作用。本发明具有较高的隧穿磁电阻效应。 | ||
| 搜索关键词： | heusler 合金 mnga 垂直 隧道 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁隧道结，包括：一衬底，是实现多层膜外延生长的基础；一缓冲层，其制作在衬底上，用于平滑衬底表面并减小晶格失配度；一下电极，其外延生长在缓冲层上；一下插层，其外延生长在下电极上；一势垒层，其外延生长在下插层上；一上插层，其外延生长在势垒层上；一上电极，其外延生长在上插层上；一覆盖层，其外延生长在上电极上，对下层结构起保护作用；其中，上、下电极的材料为具有高垂直磁各向异性的L10‑MnGa薄膜；上、下插层的材料为Co2MnSi薄膜，且所述上电极与下电极中L10‑MnGa薄膜中的Mn含量不同。
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