[发明专利]基管内表面的活化方法以及光纤预制件和光纤及制造方法有效

专利信息
申请号: 201610552707.2 申请日: 2016-07-13
公开(公告)号: CN106348615B 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: I·米莉瑟维克;G·克拉比希斯;M·J·N·范·斯特劳伦;P·格哈特斯;J·A·哈特苏克 申请(专利权)人: 德拉克通信科技公司
主分类号: C03C15/02 分类号: C03C15/02;C03B37/018
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及基管内表面的活化方法以及光纤预制件和光纤及制造方法。通过利用含氟蚀刻气体的等离子体蚀刻来使制造光纤预制件所用的基管的内表面活化的方法,等离子体蚀刻包括:将气体的供给流供给至基管的中央空腔,供给流包括主气体流和含氟蚀刻气体流;利用电磁辐射将等离子体引入基管的至少一部分中以在基管的中央空腔中创建等离子体区域;使等离子体区域沿纵向在基管的位于基管的供给侧附近的换向点和位于排出侧附近的换向点之间的长度上来回移动,其中各次来回移动被称为行程,在等离子体区域存在于供给侧附近的换向点与位于供给侧附近的换向点和排出侧附近的换向点之间的预先确定的轴向位置之间时,提供含氟蚀刻气体流。
搜索关键词: 基管内 表面 活化 方法 以及 光纤 预制件 制造
【主权项】:
一种用于通过利用含氟蚀刻气体的等离子体蚀刻来使制造光纤预制件所用的基管的内表面活化的方法,所述等离子体蚀刻包括以下步骤:将气体的供给流供给至基管的中央空腔,其中所述供给流包括主气体流和含氟蚀刻气体流;利用电磁辐射来将等离子体引入所述基管的至少一部分中,以在所述基管的中央空腔中创建等离子体区域;使所述等离子体区域沿纵向在所述基管的位于所述基管的供给侧附近的换向点和位于所述基管的排出侧附近的换向点之间的长度上来回移动,其中各次来回移动被称为行程,其中,在所述等离子体区域存在于所述供给侧附近的换向点和预先确定的轴向位置之间的情况下提供所述含氟蚀刻气体流,其中所述预先确定的轴向位置位于所述供给侧附近的换向点和所述排出侧附近的换向点之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德拉克通信科技公司,未经德拉克通信科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610552707.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top