[发明专利]主动元件

摘要

本发明公开了一种主动元件，适于设置于基板上，其包括多晶硅半导体层、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、第一接触窗、氧化物半导体层、第一电极及一第二电极。多晶硅半导体层设置于基板上，具有第一掺杂区、通道区及第二掺杂区，通道区设置于第一掺杂区及第二掺杂区之间。第一绝缘层覆盖多晶硅半导体层及基板。栅极对应通道区设置于第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖栅极及第一绝缘层，第一绝缘层及第二绝缘层具有一第一接触窗。氧化物半导体层对应栅极设置于第二绝缘层上。第一电极及一第二电极分别相对设置于氧化物半导体层上，氧化物半导体层电性连接第二电极，并经第一接触窗与第二掺杂区电性连接。

主权项

一种主动元件，设置于一基板上，其特征在于，该主动元件包括：一多晶硅半导体层，设置于该基板上，其中该多晶硅半导体层具有一第一掺杂区、一通道区及一第二掺杂区，且该通道区设置于该第一掺杂区及该第二掺杂区之间；一第一绝缘层，覆盖该多晶硅半导体层及该基板；一栅极，对应该通道区设置于该第一绝缘层上；一第二绝缘层，覆盖该栅极及该第一绝缘层，其中该第一绝缘层及该第二绝缘层具有一第一接触窗；一氧化物半导体层，对应该栅极设置于该第二绝缘层上；以及一第一电极及一第二电极，分别相对设置于该氧化物半导体层上，其中该氧化物半导体层电性连接该第二电极，并经该第一接触窗与该第二掺杂区电性连接。