[发明专利]微机电系统器件封装结构及方法在审

专利信息
申请号: 201610554237.3 申请日: 2016-07-14
公开(公告)号: CN106115605A 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 靖向萌 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 张海英;徐鹏飞
地址: 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明实施例公开了一种微机电系统器件封装结构及方法。所述封装结构包括:盖帽的第一平面上形成有第一凹槽、第一金属导线和第二金属导线;第一金属导线的第一端通过位于第一凹槽底部的连接孔延伸至盖帽的第二平面,第一金属导线的第二端以及第二金属导线位于第一平面的非第一凹槽区域;微机电系统晶圆上形成有器件结构、第三金属导线以及与器件结构电连接的第四金属导线;器件结构与第一凹槽对应设置;第四金属导线与第一金属导线的第二端通过第一键合层键合,以实现电连接;第三金属导线与第二金属导线通过第二键合层键合,以密封盖帽和微机电系统晶圆。本发明实施例提供了一种在保证气密性的同时,降低工艺难度和成本的封装方案。
搜索关键词: 微机 系统 器件 封装 结构 方法
【主权项】:
一种微机电系统器件封装结构,其特征在于,包括:盖帽和微机电系统MEMS晶圆;其中,所述盖帽的第一平面上形成有第一凹槽、第一金属导线和第二金属导线;所述第一金属导线的第一端通过位于所述第一凹槽底部的连接孔延伸至所述盖帽的第二平面,所述第一金属导线的第二端以及所述第二金属导线位于所述第一平面的非第一凹槽区域;所述MEMS晶圆上形成有器件结构,第三金属导线以及与所述器件结构电连接的第四金属导线;所述器件结构与所述第一凹槽对应设置;所述第四金属导线与所述第一金属导线的第二端通过第一键合层键合,以实现电连接;所述第三金属导线与所述第二金属导线通过第二键合层键合,以密封所述盖帽和所述MEMS晶圆。
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