[发明专利]沟槽功率器件及制作方法

摘要

本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再淀积第一阻止层定义出接触孔在半导体衬底表面的最小尺寸，从而在进行接触孔刻蚀时，可以使接触孔的线宽进一步做的更小。并且保证接触孔到第一沟槽和第二沟槽的间距，从而使接触孔与第一沟槽和第二沟槽的套刻有足够的余量，实现更小线宽的器件结构的生产，同时使产品的参数和可靠性满足要求。

主权项

1.一种沟槽功率器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成第一沟槽和第二沟槽；在所述半导体衬底上及所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底壁上生长栅介电层；在所述第一沟槽和第二沟槽中形成栅极材料层；在所述第一沟槽和第二沟槽中的栅极材料层上形成第一介质层；在所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧形成P阱；在所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧所述P阱上形成N型区；在所述半导体衬底上形成第一阻止层，并在所述第一阻止层中形成开口以暴露出所述半导体衬底及部分第二沟槽，且所述第一阻止层覆盖所述第一沟槽；在所述半导体衬底上形成覆盖介质层；光刻并刻蚀所述覆盖介质层至所述半导体衬底中，形成上宽下窄状的接触孔，所述接触孔位于第一沟槽两侧和第二沟槽中，所述开口的宽度为所述接触孔在所述半导体衬底表面的最小尺寸；在所述接触孔底部形成P型区。