[发明专利]一种改进型赫姆霍兹消声器及其制作方法有效
申请号: | 201610555355.6 | 申请日: | 2016-07-14 |
公开(公告)号: | CN106098051B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 王小鹏;陈天宁;王放;奚延辉 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G10K11/172 | 分类号: | G10K11/172 |
代理公司: | 11760 北京前审知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈姗姗 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及一种改进型赫姆霍兹消声器及其制作方法,所述改进型赫姆霍兹消声器包括赫姆霍兹消声器与薄膜声学材料;所述赫姆霍兹消声器与薄膜声学材料耦合;所述薄膜声学材料包括薄膜和质量块;其中,质量块在薄膜中心。当管道中噪声频率与消声器工作频率一致时,单胞的振动使管道中流体不再振动,从而消除该频率的噪声。所述改进型赫姆霍兹消声器将薄膜声学超材料与传统管道声学问题相结合,具有体积小、工作频率宽的特点,适用于对管道进行消声降噪。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进型 赫姆霍兹 消声器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种改进型赫姆霍兹消声器,其特征在于:/n所述改进型赫姆霍兹消声器包括赫姆霍兹消声器与薄膜声学材料;/n所述赫姆霍兹消声器与薄膜声学材料耦合;/n所述薄膜声学材料包括薄膜和质量块;其中,质量块在薄膜中心;/n所述改进型赫姆霍兹消声器的薄膜与其对应的质量块构成消声器的一个单胞,当管道中噪声频率与改进型赫姆霍兹消声器工作频率一致时,单胞的振动使管道中流体不再振动,从而消除该频率的噪声;/n所述改进型赫姆霍兹消声器单胞个数能够根据管道实际大小以及降噪量的需求进行调整。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610555355.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于智能终端摄像头进行短时脉率变异性分析的方法
- 下一篇:电转向旋转阻尼结构