[发明专利]沟槽功率器件及制作方法

摘要

本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再进行接触孔刻蚀时，可以使接触孔的线宽进一步做的更小。从而在现有光刻设备条件下实现更小线宽和更大的套刻余量，进而实现更小线宽的器件结构的生产，同时使产品的参数和可靠性满足要求。

主权项

1.一种沟槽功率器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成第一沟槽和第二沟槽；在所述半导体衬底上及所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底壁上生长栅介电层；在所述第一沟槽和第二沟槽中形成栅极材料层；在所述第一沟槽和第二沟槽中的栅极材料层上形成第一介质层；在所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧形成P阱；在所述半导体衬底中第一沟槽和第二沟槽两侧所述P阱上形成N型区；在所述半导体衬底上形成覆盖介质层，所述覆盖介质层包括覆盖所述半导体衬底的第二介质层以及覆盖所述第二介质层的第三介质层，所述第二介质层的厚度为100Å‑5000Å，所述第三介质层的厚度为2000Å‑15000Å；光刻并刻蚀所述覆盖介质层至所述半导体衬底中，形成接触孔，所述接触孔位于第一沟槽两侧和第二沟槽中；在所述接触孔底部形成P型区；其中，所述第一沟槽的宽度为L1，所述第一沟槽顶部的第三介质层的顶部宽度为L3，且满足L3＞L1；所述接触孔的深度小于等于1μm；所述接触孔的顶部开口宽度为L4，L4代表接触孔光刻的极限宽度，所述接触孔的底部区域线宽为L5，且满足L5＜L4。