[发明专利]TiN硬掩模和蚀刻残留物去除

摘要

本发明公开了用于从28/20nm图案晶片去除PVD TiN硬掩膜的组合物、方法和体系。所述组合物使用过氧化物作为氧化剂在微碱性条件下去除PVD TiN硬掩模。所述组合物包含大体积或长链的有机胺或多烷基胺以提高PVD TiN对CVD TiN的去除/蚀刻选择性。所述组合物进一步含有长链有机酸或胺以维持Co相容性。

主权项

一种组合物，用于从包含PVD氮化钛和选自由Cu、Co、CVD氮化钛、介电材料、低k介电材料和它们的组合组成的组的第二材料的半导体器件选择性地去除PVD氮化钛(TiN或TiNxOy；其中x＝0‑1.3且y＝0‑2)，所述组合物包含：1‑20wt％过氧化物，1‑5wt％碱，0.1‑1wt％弱酸，0.5‑2wt％铵盐，25‑5000ppm腐蚀抑制剂或1‑15wt％长链或混合的烷基氢氧化铵，10‑5000ppm长链有机胺或多烷基胺，和余量的溶剂；其中所述组合物的pH范围为7‑11.5。