[发明专利]生长在钇铝石榴石衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法在审
| 申请号： | 201610555803.2 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN106098881A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 陈振楔 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新技术开*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了生长在钇铝石榴石衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括钇铝石榴石衬底、GaN缓冲层和InGaN/GaN量子阱，所述钇铝石榴石衬底上依次生长所述GaN缓冲层和所述InGaN/GaN量子阱。该InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，发光性能优良。本发明还公开了所述生长在钇铝石榴石衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法，该制备方法工艺简单，制备成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 石榴石 衬底 ingan gan 多量 制备 方法 | ||
【主权项】：
生长在钇铝石榴石衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，包括钇铝石榴石衬底、GaN缓冲层和InGaN/GaN量子阱，所述钇铝石榴石衬底上依次生长所述GaN缓冲层和所述InGaN/GaN量子阱。
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