[发明专利]一种硅酸钇镥晶体的表面修形方法有效
| 申请号： | 201610556656.0 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106181589B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 李亚国;袁志刚;许剑锋;孙权权;王健;许乔;徐曦 | 申请（专利权）人： | 成都精密光学工程研究中心 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;C09K3/14;C09G1/02 |
| 代理公司： | 11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 赵丽娜 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的硅酸钇镥晶体的表面修形方法，包括以下步骤：分别利用磨料对硅酸钇镥晶体进行N次研磨，再利用抛光料进行抛光，N为≥2的正整数。磨料中含有粒径为5微米～80纳米的刚玉，且第N次研磨采用的磨料中的刚玉的粒径小于第N‑1次研磨采用的磨料中的刚玉的粒径。抛光料含有粒径为1～3微米的二氧化铈。利用本发明中的加工方法，可以将硅酸钇镥晶体表面的面形精度控制在100nm以下，并且表面粗糙度低于<0.5nm，可满足正电子发射计算机断层扫描装置对其的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅酸 晶体 表面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅酸钇镥晶体的表面修形方法，其特征在于，包括以下步骤：/n分别利用磨料对硅酸钇镥晶体进行N次研磨，再利用抛光料进行抛光，N为≥2的正整数；/n所述磨料是由水和粒径为5微米～80纳米的刚玉制备而成，且第N次研磨采用的所述磨料中的所述刚玉的粒径小于第N-1次研磨采用的所述磨料中的所述刚玉的粒径，所述抛光料含有粒径为1～3微米的二氧化铈；/n研磨的方法是：粒径为2～5微米刚玉的所述磨料对所述硅酸钇镥晶体进行预研磨，再利用粒径为0.3～0.5微米刚玉的所述磨料对所述硅酸钇镥晶体进行精磨，以及再利用粒径为30～80纳米刚玉的所述磨料对所述硅酸钇镥晶体进行超精磨，进行预研磨、精磨以及超精磨时均采用合成锡盘作为研磨盘；/n进行抛光时采用聚氨酯盘为抛光盘。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都精密光学工程研究中心，未经成都精密光学工程研究中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610556656.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
