[发明专利]功率器件及其制备方法有效
申请号: | 201610556687.6 | 申请日: | 2016-07-14 |
公开(公告)号: | CN106257669B | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 王培林 | 申请(专利权)人: | 王培林 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06;H01L21/762;H01L21/822 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 桑敏 |
地址: | 102627 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供功率器件及其制备方法。功率器件包括:第一器件,具有多个第一源区和多个第一沟槽,多个第一沟槽把多个第一源区彼此电学隔离;至少一个第二器件,具有多个第二源区和多个第二沟槽,多个第二沟槽把多个第二源区彼此电学隔离,并且第二器件内嵌在第一器件中,第二源区与第一源区被电学隔离;其中,第二器件的第二沟槽与第一器件的相应的第一沟槽相连通,并且第二器件的多个第二源区以相邻两个第二源区相隔至少一个第一器件的第一源区的方式被分散排布。根据本公开的功率器件及其制备方法,第二器件可以在第一器件内扩展分布,能够更容易地定位和在相对较全区域获取传感电流,从而能够反映更大范围内芯片的状态变化。 | ||
搜索关键词: | 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种功率器件,包括:第一器件,所述第一器件具有多个第一源区,并具有多个第一沟槽,其中,所述多个第一沟槽把所述多个第一源区彼此电学隔离;至少一个第二器件,所述第二器件具有多个第二源区并具有多个第二沟槽,所述多个第二沟槽把所述多个第二源区彼此电学隔离,并且所述第二器件内嵌在所述第一器件中,并且所述第二源区与所述第一源区被电学隔离;其中,所述第二器件的所述第二沟槽与所述第一器件的相应的第一沟槽相连通,并且其中,所述第二器件的所述多个第二源区以相邻两个第二源区相隔至少一个所述第一器件的所述第一源区的方式被分散排布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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