[发明专利]半导体多晶化系统和对单晶半导体基板进行多晶化的方法有效
| 申请号： | 201610556752.5 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106087040B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 严允晟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/00;H01L21/84;C30B28/02;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 王伟锋;刘铁生 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体多晶化系统和对单晶半导体基板进行多晶化的方法，所述半导体多晶化系统具有多个喷射口，所述喷射口用于喷射热气体使单晶半导体基板中的单晶半导体多晶化。本发明通过喷射口向单晶半导体基板喷射热气体，在热气体中热量的作用下，单晶半导体基板中的单晶半导体变为多晶半导体，从而实现多晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 多晶 系统 进行 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体多晶化系统，其特征在于，所述半导体多晶化系统具有多个喷射口，所述喷射口用于喷射热气体使单晶半导体基板中的单晶半导体多晶化；所述多个喷射口的尺寸以及喷射口的间距的设置适于使得喷射口喷出的气体中的热量由所述喷射口对应的喷射区域向非喷射区域扩散的速度高于第一速度，所述第一速度为能够避免所述单晶半导体基板的基底被损坏的最小速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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