[发明专利]一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610557040.5 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106129214B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 邬新根;张永;陈凯轩;李俊贤;吴奇隆;李小平;陈亮;刘英策;魏振东;周弘毅;黄新茂;蔡立鹤 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 王园建 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法，P电极由多层金属构成，其中最底层为Al，LED芯片结构包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成ITO透明导电层，ITO透明导电层上形成P电极，其中P电极的最底层为金属Al,Al经加热渗透进ITO透明导电层，使ITO透明导电层和P型层形成肖特基接触。本发明提升了电极的光反射率，提高了LED芯片的亮度，并且使得LED芯片的制作工艺更简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 电极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片结构，其特征在于：包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成ITO透明导电层，ITO透明导电层上形成P电极，其中P电极的最底层为金属Al,Al经加热渗透进ITO透明导电层，使ITO透明导电层和P型层形成肖特基接触。
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