[发明专利]微弱信号接收前端和接收方法

摘要

本发明公开了一种微弱信号接收前端和接收方法，所述接收前端包括频率拓展电路、通断控制单元、低噪声差分放大器，所述频率拓展电路包括放大器、第一源跟随器、共源放大器、第二源跟随器和第一电阻；放大器、第一源跟随器、共源放大器、第二源跟随器依次连接，第一电阻的一端连接放大器的输出端，另一端连接共源放大器的输出端；放大器的输入端输入电流信号或电压信号，放大器输出第一级频带拓展信号到第一源跟随器和第一电阻的一端，第一源跟随器输出第二级频带拓展信号到共源放大器，共源放大器输出第三级频带拓展信号到第二源跟随器，第二源跟随器输出第四级频带拓展信号。本发明对电路频带进行有效拓展，满足应用需要。

主权项

一种微弱信号接收前端，其特征在于，包括频率拓展电路，所述频率拓展电路包括放大器、第一源跟随器、共源放大器、第二源跟随器和第一电阻；所述放大器的输出端连接所述第一源跟随器的输入端，所述第一源跟随器的输出端连接所述共源放大器的输入端，所述共源放大器的输出端连接所述第二源跟随器的输入端，所述第一电阻的一端连接所述放大器的输出端，所述第一电阻的另一端连接所述共源放大器的输出端；所述放大器的输入端输入电流信号或电压信号，所述放大器输出第一级频带拓展信号到所述第一源跟随器和所述第一电阻的一端，所述第一源跟随器输出第二级频带拓展信号到所述共源放大器，所述共源放大器输出第三级频带拓展信号到所述第二源跟随器和所述第一电阻的另一端，所述第二源跟随器输出第四级频带拓展信号；其中，所述放大器包括：第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管、第一有源电感单元和第二电阻；所述放大器的第一输入端分别连接所述第一MOS晶体管的漏极、所述第二MOS晶体管的栅极和所述第三MOS晶体管的源极，所述放大器的第二输入端连接所述第一MOS晶体管的栅极，所述第一MOS晶体管的源极和所述第二MOS晶体管的源极接地，所述第二MOS晶体管的漏极分别连接所述第二电阻的一端和所述第三MOS晶体管的栅极，所述第二电阻的另一端连接电源，所述第三MOS晶体管的漏极分别连接所述第一有源电感单元的一端和所述放大器的输出端，所述第一有源电感单元的另一端连接所述电源；所述共源放大器包括：第六MOS晶体管和第二有源电感单元；所述第六MOS晶体管的源极接地，所述第六MOS晶体管的栅极连接所述第一源跟随器的输出端，所述第六MOS晶体管的漏极分别连接所述第二有源电感单元的一端和所述共源放大器的输出端，所述第二有源电感单元的另一端连接所述电源。