[发明专利]一种用于发光二极管的AlN缓冲层及其制作方法有效
| 申请号： | 201610557325.9 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106025026B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;方天足 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L21/203 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层，该AlN缓冲层生长于衬底上，由AlN材料层和AlN材料掺氧层构成，在衬底上生长底层AlN材料掺氧层，在底层AlN材料掺氧层上依次交替循环生长AlN材料层和AlN材料掺氧层，顶层为AlN材料掺氧层；顶层AlN材料掺氧层上生长外延层。本发明还公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层制作方法。本发明形成高致密性的AlN缓冲层，有效释放缓冲层与衬底的应力，使得缓冲层的应力释放得更好，有利于改善生长于缓冲层上的氮化镓材料的晶体质量。 1 | ||
| 搜索关键词： | 氧层 发光二极管 生长 缓冲层 衬底 材料层 顶层 氮化镓材料 高致密性 交替循环 应力释放 有效释放 外延层 制作 | ||
【主权项】：
1.一种用于发光二极管的AlN缓冲层，该AlN缓冲层生长于衬底上，其特征在于：由AlN材料层和AlN材料掺氧层构成，在衬底上生长底层AlN材料掺氧层，在底层AlN材料掺氧层上依次交替循环生长AlN材料层和AlN材料掺氧层，顶层为AlN材料掺氧层；顶层AlN材料掺氧层上生长外延层。
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