[发明专利]一种增强光取出效率的LED芯片结构有效
| 申请号： | 201610557364.9 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106129219B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 邬新根;张永;陈凯轩;李俊贤;吴奇隆;李小平;陈亮;刘英策;魏振东;周弘毅;黄新茂;蔡立鹤 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构，包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接。本发明大大增加了LED芯片侧向光的正向取出效率，增加了LED芯片的正向光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 取出 效率 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
1.一种增强光取出效率的LED芯片结构，其特征在于：包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接；其中，所述低折射率填充料位于所述N电极的上方，所述N电极和低折射率填充料接触的上表面使用反射金属，所述台阶沟道壁和低折射率填充料之间还形成一层折射率介于GaN和低折射率填充料之间的绝缘层。
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