[发明专利]一种ODR结构的倒装发光二极管及制备方法、倒装高压LED在审
| 申请号： | 201610557381.2 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106169531A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 周弘毅;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;李小平;吴奇隆;蔡立鹤;邬新根;黄新茂 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 王园建 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ODR结构的倒装发光二极管及制备方法、倒装高压LED，包括衬底上依次设置N型层、有源层和P型层，经刻蚀形成台阶裸露出部分N型层，P型层和裸露出的N型层上形成电流扩展层，电流扩展层上形成DBR层，DBR层刻蚀裸露出部分电流扩展层，DBR层和裸露出的部分电流扩展层上形成Ag反射层，Ag反射层经剥离分别形成和P型层与N型层上的电流扩展层欧姆接触的P接触金属层和N接触金属层。本发明提高了芯片的亮度，不需要额外蒸镀金属与N‑GaN形成欧姆接触，节省了工艺步骤和材料，成本低。另外，对于倒装高压LED，该Ag反射层既可以作为形成ODR结构的高反射金属，又可以作为原胞之间的互联金属，节省了工艺步骤，提高了芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 odr 结构 倒装 发光二极管 制备 方法 高压 led | ||
【主权项】：
一种ODR结构的倒装发光二极管，其特征在于：包括衬底、N型层、有源层、P型层、电流扩展层、DBR层和Ag反射层，衬底上依次设置N型层、有源层和P型层，P型层和有源层刻蚀形成台阶裸露出部分N型层，P型层和裸露出的N型层上形成电流扩展层，电流扩展层上形成DBR层，DBR层刻蚀裸露出部分电流扩展层，DBR层和裸露出的部分电流扩展层上形成Ag反射层，Ag反射层经剥离分别形成和P型层与N型层上的电流扩展层欧姆接触的P接触金属层和N接触金属层。
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