[发明专利]生长在钇铝石榴石衬底上的LED外延片及制备方法在审
| 申请号： | 201610557495.7 | 申请日： | 2016-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN106025008A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)44288 | 代理人： | 陈振楔 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新技术开*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长在钇铝石榴石衬底上的LED外延片，包括钇铝石榴石衬底，在所述钇铝石榴石衬底上依次生长GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型掺杂GaN薄膜、InGaN/GaN量子阱和p型掺杂GaN薄膜。该LED外延片陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。本发明还公开了所述生长在钇铝石榴石衬底上的LED外延片的制备方法，该制备方法工艺简单，制备成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 石榴石 衬底 led 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
生长在钇铝石榴石衬底上的LED外延片，其特征在于，包括钇铝石榴石衬底，在所述钇铝石榴石衬底上依次生长GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型掺杂GaN薄膜、InGaN/GaN量子阱和p型掺杂GaN薄膜。
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