[发明专利]扇出式封装件及其形成方法在审
| 申请号： | 201610557596.4 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106409782A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;张智尧;苏峻兴;符策忠;茅一超 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种器件封装件，包括半导体管芯；模塑料，沿着半导体管芯的侧壁延伸；以及平坦化的聚合物层，位于模塑料上方并且沿着半导体管芯的侧壁延伸。模塑料包括第一填充物，并且平坦化的聚合物层包括比第一填充物小的第二填充物。器件封装件还包括电连接至半导体管芯的一个或多个扇出式再分布层(RDL)，其中，一个或多个扇出式RDL延伸经过半导体管芯的边缘至平坦化的聚合物层的顶面上。本发明还提供了一种形成器件封装件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出式 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件封装件，包括：半导体管芯；模塑料，沿着所述半导体管芯的侧壁延伸，其中，所述模塑料包括第一填充物；平坦化的聚合物层，位于所述模塑料上方并且沿着所述半导体管芯的侧壁延伸，其中，所述平坦化的聚合物层包括比所述第一填充物更小的第二填充物；以及一个或多个扇出式再分布层(RDL)，电连接至所述半导体管芯，其中，所述一个或多个扇出式RDL延伸经过所述半导体管芯的边缘至所述平坦化的聚合物层的顶面上。
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