[发明专利]管芯结合到板的方法以及使用该方法制成的设备有效
申请号: | 201610557638.4 | 申请日: | 2016-07-15 |
公开(公告)号: | CN106356308B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | M·J·瑟登;F·J·卡尼 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及管芯结合到板。一种将在管芯表面上具有第一和第二金属层的多个管芯结合到板的方法,包括向板上放置第一管芯以及将所述第一管芯和所述板放入回流炉中,所述板包括陶瓷或衬底板或金属引线框架之一,且具有可焊接表面。该方法包括在第一回流温度下进行回流第一时间段,直到第一金属板层和第一管芯的第一和第二金属管芯层中的至少一个形成合金,以将第一管芯粘附到板。该合金的熔化温度比第一回流温度高。因此,可以在稍晚时间增加额外的管芯并进行回流,以附着到板,而不会导致第一管芯到板的结合失效。 | ||
搜索关键词: | 管芯 结合 方法 以及 使用 制成 设备 | ||
【主权项】:
一种将多个在管芯表面上具有多个金属层的管芯结合到板或金属引线框架的方法,包括:将第一管芯放置到所述板或金属引线框架的可焊接表面上,所述板包括陶瓷板或衬底板或金属引线框架之一,其中顶部金属管芯层靠着所述可焊接表面设置;在第一回流温度下对所述第一管芯的第一金属管芯层和第二金属管芯层中的至少一个进行第一回流达第一时间段,以形成第一合金,从而在所述第一管芯和所述板或金属引线框架之间生成结合;并且其中所述第一合金的熔化温度高于所述第一回流温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610557638.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造