[发明专利]一种复合型CMOS图像传感器在审
| 申请号： | 201610559996.9 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106060433A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王海英;刘强 | 申请（专利权）人： | 王海英 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/355;H04N5/365 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200433 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种复合型CMOS图像传感器，包括光电二极管(110)、复位MOS管(120)、条件复位MOS管(130)、模式选择MOS管(210)、与二极管连接的MOS管(220)、放大管(410)、行选择MOS管(510)和电流源(610)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合型 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种复合型CMOS图像传感器，包括光电二极管(110)、复位MOS管(120)、条件复位MOS管(130)、模式选择MOS管(210)、与二极管连接的MOS管(220)、放大管(410)、行选择MOS管(510)和电流源(610)，其特征在于：所述光电二极管(110)的正极接地，负极接所述复位MOS管(120)的源极，所述光电二极管(110)作为感光器件；所述复位MOS管(120)用于在曝光前对所述光电二极管(110)进行复位，所述复位MOS管(120)的漏极接电源VDD，栅极接复位信号RST，源极接所述光电二极管(110)的负极；所述条件复位MOS管(130)用于在弱光调节下进行条件重置，所述条件复位MOS管(130)的漏极接电源VDD，栅极接条件重置信号CRST，源极接所述光电二极管(110)的负极；所述模式选择MOS管(210)用于进行开关选择，所述模式选择MOS管(210)的漏极接电源VDD，栅极接模式选择信号VLOG，源极接所述与二极管连接的MOS管(220)的漏极；所述与二极管连接的MOS管(220)用于在中强光下实现对数响应，所述与二极管连接的MOS管(220)的漏极和栅极相连，源极接所述光电二极管(110)的负极；所述放大管(410)用于将感应的电荷进行放大并且转移成电压信号，其栅极的寄生电容用于存储电荷，所述放大管(410)的漏极接电源VDD，栅极接接所述光电二极管(110)的负极，源极接所述行选择MOS管(510)的漏极；所述行选择MOS管(510)用于对像素进行选择输出，所述行选择MOS管(510)，的漏极接所述放大管(410)的源极，栅极接行选择信号RS，源极做输出；所述电路源(610)的漏极接输出，栅极接偏置电压信号，源极接地。
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