[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610560015.2 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106373960A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杨名慧;廖浚廷;陈程元;刘和昌;陈益德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括集成电路和保护环。该集成电路包括第一电路和第二电路，该第二电路与该第一电路是分开的。该保护环设置在该第一电路周围且在该第一电路和该第二电路之间。该保护环包括外环、内环和两个连接件。该外环设置在该第一电路周围且具有第一间隙。该内环设置在该外环和该第一电路之间且具有第二间隙。该两个连接件将该外环和该内环连接在一起。该外环、该内环和该两个连接件形成闭合回路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：集成电路，包括第一电路和与所述第一电路是分开的第二电路；以及保护环，设置在所述第一电路周围且在所述第一电路和所述第二电路之间，其中所述保护环包括：外环，设置在所述第一电路周围且具有第一间隙；内环，设置在所述外环和所述第一电路之间且具有第二间隙；以及连接所述外环和所述内环的两个连接件，其中所述外环、所述内环和所述两个连接件形成闭合回路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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