[发明专利]一种LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610560463.2 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105932124B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 琚晶;马后永;展望;游正璋 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 苗绘;朱成之 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED外延结构及其制备方法，在衬底上生长第一类型外延层；在第一类型外延层上生长应力释放层；在应力释放层上生长多量子阱结构层；在多量子阱结构层上生长第二类型外延层。其中，应力释放层包含第一InGaN/GaN超晶格量子阱、n型GaN插入层、第二InGaN/GaN超晶格量子阱；第一InGaN/GaN超晶格量子阱为周期层叠的第一InGaN势阱层和第一GaN势垒层超晶格结构；第二InGaN/GaN超晶格量子阱为周期层叠的第二InGaN势阱层和第二GaN势垒层超晶格结构；多量子阱结构层包含周期层叠的第三InGaN势阱层和第三GaN势垒层。本发明通过在传统的应力释放超晶格结构中插入低温生长的n型GaN层，增加了反向击穿电压，有效地提高了LED产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构的制备方法，其特征在于，包含以下的工艺步骤：S1、提供一衬底，在所述衬底上生长第一类型外延层；S2、在所述第一类型外延层上生长应力释放层；所述应力释放层包含第一InGaN/GaN超晶格量子阱、n型GaN插入层、第二InGaN/GaN超晶格量子阱；其中，所述第一InGaN/GaN超晶格量子阱为周期层叠的第一InGaN势阱层和第一GaN势垒层超晶格结构，所述第二InGaN/GaN超晶格量子阱为周期层叠的第二InGaN势阱层和第二GaN势垒层超晶格结构；其中，所述n型GaN插入层的生长温度比所述第一InGaN/GaN超晶格量子阱和第二InGaN/GaN超晶格量子阱的生长温度低；S3、在所述应力释放层上生长多量子阱结构层；所述多量子阱结构层包含周期层叠的第三InGaN势阱层和第三GaN势垒层；S4、在多量子阱结构层上生长第二类型外延层。
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