[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610560742.9 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106531693B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 堀元人;池田良成 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/043 | 分类号： | H01L23/043 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置。为了使半导体装置高耐压化，优选扩展电极端子与其它金属部分的爬电距离和空间距离。所述半导体装置具备半导体元件；壳体部，其收纳半导体元件；以及外部端子，其设置于壳体部的正面，在壳体部的正面形成有从正面突出的壁部和设置于被壁部包围的区域，且相对于正面凹陷的凹部，外部端子配置于凹部的底面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体元件；壳体部，其收纳所述半导体元件；以及外部端子，其被设置于所述壳体部的正面，在所述壳体部的所述正面形成有从所述正面突出的壁部和设置于被所述壁部包围的区域且相对于所述正面凹陷的凹部，所述外部端子配置于所述凹部的底面。
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