[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括其的有机发光二极管显示设备有效
申请号: | 201610561611.2 | 申请日: | 2016-07-15 |
公开(公告)号: | CN106373978B | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 崔浩源;金惠淑;池文培 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 薄膜晶体管阵列基板和包括其的有机发光二极管显示设备。在本发明的薄膜晶体管阵列基板以及包括该薄膜晶体管阵列基板的有机发光二极管显示设备中,颜色层与白色子像素对应地布置在第一基板上,并且非滤色器区域与白色子像素对应地包括在第二基板中,并且因此,能够降低外部光的反射率,提高有机发光元件的发光效率,并且减小有机发光二极管显示设备的功耗。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 包括 有机 发光二极管 显示 设备 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板(100),该薄膜晶体管阵列基板(100)包括:基板,所述基板被划分成红色(R)子像素区域、绿色(G)子像素区域、蓝色(B)子像素区域和白色(W)子像素区域;第二基板,所述第二基板被布置为面对所述基板;薄膜晶体管(Tr),所述薄膜晶体管(Tr)被布置在所述基板(100)上,并且被设置在每个子像素区域中;第一电极(108),所述第一电极(108)与所述薄膜晶体管(Tr)电连接,并且包括第一层(108a)和被布置为与所述第一层(108a)交叠的第三层(108c);第一颜色层(114),所述第一颜色层(114)被设置在布置在所述白色子像素区域中的所述第一电极(108)的所述第一层(108a)与所述第三层(108c)之间;以及发光层(109),所述发光层(109)被布置在所述第三层(108c)上,其中,在所述白色(W)子像素区域中,第二层(108b)被布置在所述第一电极(108)的所述第一层(108a)上,所述第一颜色层(114)被布置在所述第二层(108b)上,并且所述第一电极(108)的所述第三层(108c)被布置在所述第一颜色层(114)上,其中,在所述红色(R)子像素区域、所述绿色(G)子像素区域和所述蓝色(B)子像素区域中,所述第一电极(108)由第一层(108a)、与所述第一层(108a)交叠的第二层(108b)和与所述第二层(108b)交叠的第三层(108c)构成,其中,所述第一颜色层(114)与在所述红色(R)子像素区域、所述绿色(G)子像素区域和所述蓝色(B)子像素区域当中的至少一个中的所述第一电极(108)的所述第二层(108b)位于同一层上,并且其中,具有所述第一颜色层(114)的区域对应于布置在所述第二基板的面对所述基板的一个表面上的非滤色器区域(500)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的