[发明专利]一种在微流控孔道中沉积纳米金的方法有效

专利信息
申请号: 201610561732.7 申请日: 2016-07-15
公开(公告)号: CN106198659B 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 孙晶;郎明非 申请(专利权)人: 大连大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;G01N27/30;B01L3/00
代理公司: 21235 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 代理人: 刘斌<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 116622 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种在微流控孔道中沉积纳米金的方法。通过对ITO玻璃进行预处理,制备出带有(PDDA/PSS)n多层自组装膜的ITO玻璃,以该ITO玻璃为基底与由PDMS制成的芯片封接而形成微流控芯片,然后将KAuCl4和H2SO4混合液注入微流控孔道中,通过计时电流法在其中沉积纳米金,纳米金表面形貌检测显示在微流控孔道内可见分布均匀的纳米金颗粒。本发明具有快速、简单、重复性好、成本低等特点,在医学生物工程、医学生物传感器等领域有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 微流控 孔道 沉积 纳米 方法
【主权项】:
1.一种在微流控孔道中沉积纳米金的方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1.将PDMS单体和引发体按10:1的质量比制备成微流控芯片:/n(1)将PDMS单体和引发体按10:1的质量比倒入烧杯中,用玻璃棒搅拌5分钟后倒进装有硅片的培养皿中;/n(2)将培养皿放于浓缩干燥器中,用隔膜真空泵抽气1.5小时除去PDMS中的气泡,然后置于80℃的真空干燥箱固化1小时;/n(3)待其自然冷却后将PDMS从硅片模板上轻轻剥离,用切割机切成小块,再用手动芯片打孔机在相应部位打孔,制备成微流控芯片;/nS2.ITO玻璃经臭氧清洗,使其表面附带大量负电荷;/nS3.将经过臭氧处理后的ITO玻璃放入浓度为1mg/mLPDDA溶液中与PSS组装,制备出带有(PDDA/PSS)n多层自组装膜的ITO玻璃,n=6;/n步骤S2、S3的具体步骤是:/n(4)用无水乙醇超声清洗ITO玻璃,再置于紫外臭氧清洗机中30分钟,然后将清洗好的ITO的导电面朝上放置,放入1mg/mL的PDDA溶液中浸泡5min,取出后,使用蒸馏水少量多次进行清洗,然后使用氮气吹干;/n(5)对组装有PDDA层的ITO玻璃进行PSS组装,完成后,可制得一层(PDDA/PSS)自组装层,重复上述的过程6次,制备出带有(PDDA/PSS)6多层自组装膜的ITO玻璃;/n(6)最后用氮气封装在培养皿中待用;/nS4.在匀胶机中将光刻胶均匀地铺在S3处理过的ITO玻璃上,将微流控芯片与ITO玻璃封接在一起;/n步骤S4的具体步骤是:/n(7)将事先准备好的ITO玻璃放在匀胶机的转盘上,然后在硅片的中心加入200μL的PDMS,通过匀胶机将光刻胶均匀地铺满整个ITO玻璃表面;/n(8)在上述ITO玻璃上将打好孔的微流控芯片粘取PDMS,然后与ITO玻璃的导电面粘接在一起;/nS5.采用三电极体系,将表面带有(PDDA/PSS)6静电自组装膜的ITO玻璃作为工作电极,铂片电极为对电极,Ag/AgCl电极为参比电极;将浓度为0.1mol/LKAuCl4和浓度为0.5mol/LH2SO4的混合液注入微流控孔道中,采用计时电流法进行纳米金沉积,固定沉积电压为1~-1000mV,时间为1~3600s,带有(PDDA/PSS)6静电自组装膜的ITO玻璃进行纳米金沉积,纳米金在微流控孔道中沉积。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连大学,未经大连大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610561732.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top